Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Jacobs" and "Karl"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1336388455 |
| Titel | Silicon Ion Implant Activation in β-(Al0.2Ga0.8)2O3 / by Alan G. Jacobs, Joseph A. Spencer, Marko J. Tadjer, Boris N. Feigelson, Abbey Lamb, Ming-Hsun Lee, Rebecca L. Peterson, Fikadu Alema, Andrei Osinsky, Yuhao Zhang, Karl D. Hobart, Travis J. Anderson |
| Person(en) |
Jacobs, Alan G. (Verfasser) Spencer, Joseph A. (Verfasser) Tadjer, Marko J. (Verfasser) Feigelson, Boris N. (Verfasser) Lamb, Abbey (Verfasser) Lee, Ming-Hsun (Verfasser) Peterson, Rebecca L. (Verfasser) Alema, Fikadu (Verfasser) Osinsky, Andrei (Verfasser) Zhang, Yuhao (Verfasser) Hobart, Karl D. (Verfasser) Anderson, Travis J. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2407220953225.965630775103 DOI: 10.1007/s11664-024-11075-z |
| URL | https://doi.org/10.1007/s11664-024-11075-z |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2024 |
| DDC-Notation | 615.19 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 53, 28.4.2024, Nr. 6, date:6.2024: 2811-2816) |
| Sachgruppe(n) | 610 Medizin, Gesundheit |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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