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Neuigkeiten Dienstag 18. November 2025: Die Lesesäle der Deutschen Nationalbibliothek in Frankfurt am Main öffnen wegen einer Personalversammlung erst ab 13 Uhr. // Tuesday 18 November 2025: The reading rooms of the German National Library in Frankfurt am Main will open at 13:00 due to a staff assembly.
 
 

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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/974522082
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Ladungsspeicherung in Oxid-Nitrid-Oxid-(ONO)-Strukturen für nichtflüchtige Speicherbauelemente / Jan-Malte Schley
Person(en) Schley, Jan-Malte (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2005
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 5,1 MB
Hochschulschrift München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 2005
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:bvb:706-1148
URL http://ub.unibw-muenchen.de/dissertationen/ediss/schley-jan/inhalt.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://137.193.200.177/ediss/schley-jan/meta.html (Verlag)
Schlagwörter ROM <Informatik> ; Flash-Speicher ; MOS-FET ; Gate <Elektronik> ; Oxidnitride ; Nitride ; Mehrschichtsystem
DDC-Notation 530.4175 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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