Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1225664322 |
| Titel | The Growth and Characterization of Large Diameter Silicon Carbide Substrates / by A. Gupta, M. Yoganathan, J. Burton, N. Byrd, A. Dimondi, S. Edwards, A. Giordana, J. Glesener, J. Harding, F. Long, W. Mitchel, A. Saxler, R. Sostak, J. Whitlock, R. N. Thomas, T. Anderson |
| Person(en) |
Gupta, A. (Verfasser) Yoganathan, M. (Verfasser) Burton, J. (Verfasser) Byrd, N. (Verfasser) Dimondi, A. (Verfasser) Edwards, S. (Verfasser) Giordana, A. (Verfasser) Glesener, J. (Verfasser) Harding, J. (Verfasser) Long, F. (Verfasser) Mitchel, W. (Verfasser) Saxler, A. (Verfasser) Sostak, R. (Verfasser) Whitlock, J. (Verfasser) Thomas, R. N. (Verfasser) Anderson, T. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021012413463632678836 DOI: 10.1557/PROC-640-H5.2 |
| URL | https://doi.org/10.1557/PROC-640-H5.2 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2001 |
| DDC-Notation | 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 640, 21.3.2011, Nr. 1, date:12.2000: 1-6) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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