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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchung von"high-k" Materialien als alternative Dielektrika für AlGaN/GaN-basierte Metall-Isolator-Halbleiter-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (MISHFET) = Investigation of "high-k" materials as alternative dielectrics for AlGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor heterostructure field effect transistors (MISHFET) / vorgelegt von Gero Heidelberger
Person(en) Heidelberger, Gero (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2009
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 2,9 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Heidelberger, Gero: Untersuchung von "high-k"-Materialien als alternative Dielektrika für AlGaN-GaN-basierte Metall-Isolator-Halbleiter-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (MISHFET)
Hochschulschrift Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-28929
URL http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2009/2892/pdf/Heidelberger_Gero.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2009/2892/ (Verlag)
Sprache(n) Englisch (eng)
Anmerkungen Text in engl. Sprache
Schlagwörter Galliumnitrid ; High-k-Dielektrikum ; HEMT ; MOS ; Halbleiter ; Festkörperphysik ; Siliciumdioxid
DDC-Notation 621.38152840284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau ; 530 Physik

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