Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/996800182 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Untersuchung von"high-k" Materialien als alternative Dielektrika für AlGaN/GaN-basierte Metall-Isolator-Halbleiter-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (MISHFET) = Investigation of "high-k" materials as alternative dielectrics for AlGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor heterostructure field effect transistors (MISHFET) / vorgelegt von Gero Heidelberger |
Person(en) | Heidelberger, Gero (Verfasser) |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2009 |
Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 2,9 MB |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Heidelberger, Gero: Untersuchung von "high-k"-Materialien als alternative Dielektrika für AlGaN-GaN-basierte Metall-Isolator-Halbleiter-Heterostruktur-Feldeffekt-Transistoren (MISHFET) |
Hochschulschrift | Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009 |
Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-28929 |
URL |
http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2009/2892/pdf/Heidelberger_Gero.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2009/2892/ (Verlag) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Anmerkungen | Text in engl. Sprache |
Schlagwörter | Galliumnitrid ; High-k-Dielektrikum ; HEMT ; MOS ; Halbleiter ; Festkörperphysik ; Siliciumdioxid |
DDC-Notation | 621.38152840284 [DDC22ger] |
Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau ; 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
