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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen / von Stephan Will
Person(en) Will, Stephan (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [2004]
Umfang/Format Online-Ressource, ca. 1,7 MB
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Will, Stephan: Herstellung und elektronische Eigenschaften hydrogenierter amorpher Siliziumfilme, abgeschieden unter extremen Depositionsbedingungen
Hochschulschrift Marburg, Univ., Diss., 1997
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hebis:04-z1998-00012
URL http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z1998/0001/pdf/z1998-0001.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z1998/0001/ (Verlag)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Silicium ; Amorpher Halbleiter ; Wasserstoff ; Dünne Schicht ; PECVD-Verfahren
DDC-Notation 530.4175 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

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