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Titel Electrical Characterization of Point Defects in 4H Silicon Carbide Power Devices / Fabian Rasinger ; Gutachter: Tobias Erlbacher ; Betreuer: Heiko B. Weber
Person(en) Rasinger, Fabian (Verfasser)
Weber, Heiko B. (Akademischer Betreuer)
Erlbacher, Tobias (Gutachter)
Verlag Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2023
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2023
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2023122110094070639328
DOI: 10.25593/open-fau-82
URL (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter Siliciumcarbid* ; MOS-FET* ; Leistungshalbleiter* ; Elektrische Eigenschaft* (*maschinell ermittelt)
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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