Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=5*
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1204551251 |
| Titel | Effect of fully strained AlN nucleation layer on the AlN/SiC interface and subsequent GaN growth on 4H–SiC by MOVPE / by Ruby Khan, Rajesh K. Bag, Kapil Narang, Akhilesh Pandey, Sandeep Dalal, Vikash K. Singh, Sachin K. Saini, M. V. G. Padmavati, Renu Tyagi, Ufana Riaz |
| Person(en) |
Khan, Ruby (Verfasser) Bag, Rajesh K. (Verfasser) Narang, Kapil (Verfasser) Pandey, Akhilesh (Verfasser) Dalal, Sandeep (Verfasser) Singh, Vikash K. (Verfasser) Saini, Sachin K. (Verfasser) Padmavati, M. V. G. (Verfasser) Tyagi, Renu (Verfasser) Riaz, Ufana (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2020021221244099315954 DOI: 10.1007/s10854-019-02247-3 |
| URL | https://doi.org/10.1007/s10854-019-02247-3 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2019 |
| DDC-Notation | 537.6226 [DDC23ger] |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Journal of materials science / Materials in electronics (Bd. 30, 28.9.2019, Nr. 20, date:10.2019: 18910-18918) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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