Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Titel Variability and high temperature reliability of graphene field-effect transistors with thin epitaxial CaF2 insulators / by Yu. Yu. Illarionov, T. Knobloch, B. Uzlu, A. G. Banshchikov, I. A. Ivanov, V. Sverdlov, M. Otto, S. L. Stoll, M. I. Vexler, M. Waltl, Z. Wang, B. Manna, D. Neumaier, M. C. Lemme, N. S. Sokolov, T. Grasser
Person(en) Illarionov, Yury (Verfasser)
Knobloch, Theresia (Verfasser)
Uzlu, B. (Verfasser)
Banshchikov, A. G. (Verfasser)
Ivanov, I. A. (Verfasser)
Sverdlov, Viktor (Verfasser)
Otto, M. (Verfasser)
Stoll, S. L. (Verfasser)
Vexler, M. I. (Verfasser)
Waltl, Michael (Verfasser)
Wang, Z. (Verfasser)
Manna, B. (Verfasser)
Neumaier, Daniel (Verfasser)
Lemme, M. C. (Verfasser)
Sokolov, N. S. (Verfasser)
Grasser, Tibor (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2405211145410.622407113954
DOI: 10.1038/s41699-024-00461-0
URL https://doi.org/10.1038/s41699-024-00461-0
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 530.4175 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: npj 2D materials and applications (Bd. 8, 19.3.2024, Nr. 1, date:12.2024: 1-10)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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