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Bücher
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/988683687
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Untersuchungen zum epitaktischen Wachstum von 3C-SiC bei Verwendung einer C60-Kohlenstoffquelle / vorgelegt von Sascha Schreiber
Person(en) Schreiber, Sascha (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2006
Umfang/Format II, 146 Bl. : Ill., graph. Darst. ; 30 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Schreiber, Sascha: Untersuchungen zum epitaktischen Wachstum von 3C-SiC bei Verwendung einer C60-Kohlenstoffquelle
Hochschulschrift Augsburg, Univ., Diss., 2006 (Nicht für den Austausch)
Sprache(n) Deutsch (ger)
Schlagwörter Siliciumcarbid ; RHEED ; Heteroepitaxie ; Homoepitaxie ; Fullerene ; Wide-gap-Halbleiter ; Beschichten
DDC-Notation 530.4175 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 530 Physik

Frankfurt Signatur: 2008 B 12943
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2008 B 15748
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Leipzig




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