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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1274088992
Titel Reversing the Resistivity Contrast in the Phase‐Change Memory Material GeSb 2 Te 4 Using High Pressure
Person(en) Xu, Ming (Verfasser)
Yu, Zhenhai (Verfasser)
Wang, Lin (Verfasser)
Mazzarello, Riccardo (Verfasser)
Wuttig, Matthias (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2022112905525727120890
DOI: 10.1002/aelm.201500240
URL https://doi.org/10.1002/aelm.201500240
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 27.10.2015
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced electronic materials (Bd. 1, 2015, Nr. 12. 7 S.)

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