Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Ben"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1228423911 |
| Titel | Ultra-Low Energy Ion Implantation of Si into HfO2 and HfSiO-based Structures for Non Volatile Memory Applications / by F. Gloux, P. E. Coulon, J. Groenen, S. Schamm-Chardon, G Ben Assayag, B. Pecassou, A Slaoui, B. Sahu, M. Carrada, S. Lhostis, C. Bonafos |
| Person(en) |
Gloux, F. (Verfasser) Coulon, P. E. (Verfasser) Groenen, J. (Verfasser) Schamm-Chardon, S. (Verfasser) Assayag, G Ben (Verfasser) Pecassou, B. (Verfasser) Slaoui, A. (Verfasser) Sahu, B. (Verfasser) Carrada, M. (Verfasser) Lhostis, S. (Verfasser) Bonafos, C. (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021030221582927353795 DOI: 10.1557/PROC-1250-G01-07 |
| URL | https://doi.org/10.1557/PROC-1250-G01-07 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2010 |
| DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 1250, 1.08.2010, Nr. 1, date:12.2010: 1-6) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |

