Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/989748049 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Quantum mechanical and atomic level ab initio calculation of electron transport through ultrathin gate dielectrics of metal oxide semiconductor field effect transistors / submitted by Ebrahim Nadimi |
| Person(en) | Nadimi, Ebrahim (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2008 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, ca. 1,6 MB |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Nadimi, Ebrahim: Quantum mechanical and atomic level ab initio calculation of electron transport through ultrathin gate dielectrics of metal oxide semiconductor field effect transistors |
| Hochschulschrift | Chemnitz, Techn. Univ., Diss., 2008 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bsz:ch1-200800477 |
| URL |
http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2008/0047/data/Dissertation_Nadimi_nachVert_end_Druck.pdf (Verlag) (kostenfrei zugänglich) http://archiv.tu-chemnitz.de/pub/2008/0047 (Verlag) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Ab-initio-Rechnung ; Dichtefunktionalformalismus |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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