Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1230297367 |
Titel | Transient Capacitance Characterization of Deep Levels in Undoped and Si-Doped GaN / by S. Nakamura, P. Liu, M. Suhara, T. Okumura |
Person(en) |
Nakamura, S. (Verfasser) Liu, P. (Verfasser) Suhara, M. (Verfasser) Okumura, T. (Verfasser) |
Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
Umfang/Format | Online-Ressource : online resource. |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2021032820101671054496 DOI: 10.1557/PROC-764-C3.39 |
URL | https://doi.org/10.1557/PROC-764-C3.39 |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2003 |
DDC-Notation | 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Enthalten in: Materials Research Society: MRS online proceedings library (Bd. 764, 1.2.2011, Nr. 1, date:12.2002: 1-6) |
Sachgruppe(n) | 530 Physik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
