Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC) / Sigo Scharnholz
Person(en) Scharnholz, Sigo (Verfasser)
Verlag Aachen : Shaker
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2001
Umfang/Format 124 S. : graph. Darst. ; 21 cm
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Scharnholz, Sigo: Grundlagenentwicklung unterschiedlicher MOS-Technologien auf Siliciumcarbid (SiC)
Hochschulschrift Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2000
ISBN/Einband/Preis 978-3-8265-8876-1 kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00
3-8265-8876-2 kart. : DM 89.00, sfr 89.00, S 619.00
Beziehungen Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter Wide-bandgap Halbleiter ; Siliciumcarbid ; MOS-FET ; Ionenimplantation ; Gate-Oxid ; PECVD-Verfahren
Sachgruppe(n) 37 Elektrotechnik ; 29 Physik, Astronomie
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2001 A 32395
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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Leipzig Signatur: 2001 A 32395
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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