Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1233375601 |
Art des Inhalts | Hochschulschrift |
Titel | Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / Rimma Zhytnytska |
Person(en) | Zhytnytska, Rimma (Verfasser) |
Organisation(en) | Eric Cuvillier (Firma) (Verlag) |
Ausgabe | 1. Auflage |
Verlag | Göttingen : Cuvillier Verlag |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2021 |
Umfang/Format | XII, 155 Seiten : Illustrationen, Diagramme ; 21 cm |
Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Zhytnytska, Rimma: Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen |
Hochschulschrift | Dissertation, Technische Universität Berlin, 2020 |
ISBN/Einband/Preis |
978-3-7369-7413-5 Broschur : EUR 57.90 (DE), EUR 59.60 (AT) 3-7369-7413-2 |
EAN | 9783736974135 |
Sprache(n) | Deutsch (ger) |
Beziehungen | Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; Band 65 |
Schlagwörter | HEMT ; Galliumnitrid ; Epitaxie ; Leckstrom ; Durchschlagfestigkeit ; Elektrische Eigenschaft ; Thermodynamische Eigenschaft ; Schaltungsentwurf ; Leistungselektronik ; Schalttransistor |
DDC-Notation | 621.3815284 [DDC23ger] |
Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
Frankfurt |
Signatur: 2021 AA 34162 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
Leipzig |
Signatur: 2021 AA 32399 Bestand: [Die Bereitstellung kann bis zu 14 Tage dauern. - Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
