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Ergebnis der Suche nach: tit all "3D monolithic integration."
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Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1372500650 |
Titel | Enabling static random-access memory cell scaling with monolithic 3D integration of 2D field-effect transistors / by Muhtasim Ul Karim Sadaf, Ziheng Chen, Shiva Subbulakshmi Radhakrishnan, Yongwen Sun, Lei Ding, Andrew R. Graves, Yang Yang, Joan M. Redwing, Saptarshi Das |
Person(en) |
Sadaf, Muhtasim Ul Karim (Verfasser) Chen, Ziheng (Verfasser) Subbulakshmi Radhakrishnan, Shiva (Verfasser) Sun, Yongwen (Verfasser) Ding, Lei (Verfasser) Graves, Andrew R. (Verfasser) Yang, Yang (Verfasser) Redwing, Joan M. (Verfasser) Das, Saptarshi (Verfasser) |
Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
Umfang/Format | 1 Online-Ressource. |
Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2507262139047.670939784456 DOI: 10.1038/s41467-025-59993-8 |
URL | https://doi.org/10.1038/s41467-025-59993-8 |
Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
DDC-Notation | 621.397 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
Sprache(n) | Englisch (eng) |
Beziehungen | Enthalten in: Nature Communications (Bd. 16, 26.5.2025, Nr. 1, date:12.2025: 1-10) |
Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
