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Neuigkeiten Die Lesesäle für Geisteswissenschaften, Naturwissenschaften, der Alte Lesesaal Technik und der Anne-Frank-Shoah-Lesesaal in Leipzig schließen am 04.02.2026 wegen einer Veranstaltung bereits um 15 Uhr. Die weiteren Lesesäle sowie die Servicetheke sind zu den regulären Zeiten geöffnet. //
The humanities reading room, the natural science reading room, the old technology reading room and the reading room of the Anne-Frank-Shoah-Library will close at 15:00 on 4 February 2026 due to an event. The other reading rooms and the service desk will be open during regular hours.
 
 

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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1229069577
Titel Vertical Transport Properties of GaN Schottky Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy / by M. Misra, A.V. Sampath, T.D. Moustakas
Person(en) Misra, M. (Verfasser)
Sampath, A.V (Verfasser)
Moustakas, T.D (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format Online-Ressource : online resource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2021031021395121768980
DOI: 10.1557/S1092578300004798
URL https://doi.org/10.1557/S1092578300004798
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 1996
DDC-Notation 537.6226 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Materials Research Society: MRS internet journal of nitride semiconductor research (Bd. 5, 12.12.2020, Nr. 1, date:12.2000: 584-590)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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