Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Originator"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/131804619X |
| Titel | The Mechanism as SI GaAs Substrate Influences the Resistivity of the Epitaxial Layer |
| Person(en) | Somogyi, K. (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2024020205141943127235 DOI: 10.1002/crat.2170270811 |
| URL | https://doi.org/10.1002/crat.2170270811 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 19.02.2006 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Crystal research and technology (Bd. 27, 2006, Nr. 8: 1053-1060. 8 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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