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Artikel
Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1381401066
Titel Rapid 3D Defect Mapping in SiC Betavoltaics via Positron Annihilation Tomograph
Person(en) Atabaev, Bakhtiyar Gafurovich (Verfasser)
Chepurnov, Viktor Ivanovich (Verfasser)
Arutyunov, Nikolay Yuryevich (Verfasser)
Dolgopolov, Mikhail Vyacheslavovich (Verfasser)
Juraev, Khimmatali Nomozovich (Verfasser)
Radzhapov, Sali Ashirovich (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2511121312568.414732245189
DOI: 10.1002/pssr.202500356
URL https://doi.org/10.1002/pssr.202500356
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 12.11.2025
DDC-Notation 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Physica status solidi / Rapid research letters (12.11.2025. 6 S.)
Sachgruppe(n) 530 Physik

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