Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1038272769 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Advanced modeling of AlGaN, GaN HEMTs and Si power MOSFETs for switched-mode applications and electromagnetic interference simulation / vorgelegt von Christian Marc Lautensack |
| Person(en) | Lautensack, Christian Marc (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. ed. |
| Verlag | Weiler bei Bingen : Lautensack |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2013 |
| Umfang/Format | X, 164 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2012 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-938184-08-0 kart. |
| EAN | 9783938184080 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter |
HEMT ; Galliumnitrid ; Schaltverstärker ; Mikrowellentransistor ; Streumatrix <Elektrotechnik> ; Parameteridentifikation ; Simulation MOS-FET ; Schaltverstärker ; Mikrowellentransistor ; Streumatrix <Elektrotechnik> ; Parameteridentifikation ; Elektromagnetische Verträglichkeit ; Simulation |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 2014 A 74244
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2014 A 55639
Bereitstellung in Leipzig |
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