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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1168633826
Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel GaN HEMT modeling including trapping effects based on Chalmers model and pulsed S-parameter measurements / Peng Luo ; Gutachter: Matthias Rudolph
Person(en) Luo, Peng (Verfasser)
Rudolph, Matthias (Gutachter)
Verlag Cottbus : BTU Cottbus - Senftenberg
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2018
Umfang/Format Online-Ressource
Hochschulschrift Dissertation, Cottbus, BTU Cottbus - Senftenberg, 2018
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:kobv:co1-opus4-45981
URL https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/4598 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter HEMT ; Galliumnitrid ; Haftstelle ; Tiefe Störstelle ; Drain <Elektronik> ; Großsignalverhalten ; Source <Elektronik> ; Streumatrix <Elektrotechnik>
DDC-Notation 621.3815284 [DDC23ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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