Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: dcs=621*
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1153608928 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method / Ludwig Stockmeier ; Gutachter: Lothar Frey |
| Person(en) |
Stockmeier, Ludwig (Verfasser) Frey, Lothar (Gutachter) |
| Verlag | Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2018 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| Hochschulschrift | Dissertation, Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2017 |
| Persistent Identifier | URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-93900 |
| URL | https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/9390 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Silicium ; n-Halbleiter ; Dotierung ; Versetzung <Kristallographie> ; Kristallwachstum ; Czochralski-Verfahren |
| DDC-Notation | 621.38152 [DDC23ger] |
| Sachgruppe(n) | 621.3 Elektrotechnik, Elektronik ; 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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