Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/982127081 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung / von Martin Neuburger |
| Person(en) | Neuburger, Martin (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2006 |
| Umfang/Format | IV, 115 S. : graph. Darst. ; 30 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Neuburger, Martin: Entwurf und Technologie von GaN-Heterostruktur-FETs für hohe Leistung |
| Hochschulschrift | Ulm, Univ., Diss., 2006 |
| Schlagwörter | Galliumnitrid ; Feldeffekttransistor ; HEMT |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Frankfurt |
Signatur: 2007 B 6719 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2006 B 39629 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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