Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1378378199 |
| Titel | Development of electrically contacted GaAs-based nanowire laser diode structures on silicon / Tobias Schreitmüller |
| Verlag | Garching : Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München e. V |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | 217 Seiten |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-946379-68-3 Broschur |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology ; Vol. 268 |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt | Publikation im Haus und in Bearbeitung |
| Leipzig |
Signatur: 2025 AA 61911
Bereitstellung in Leipzig |
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