Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/978988795 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications / vorgelegt von Juraj Bernát |
| Person(en) | Bernát, Juraj (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2005 |
| Umfang/Format | IV, 152 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Bernát, Juraj: Fabrication and characterisation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors for power applications |
| Hochschulschrift | Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2005 (Nicht für den Austausch) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Schlagwörter | Galliumnitrid ; Transistor |
| DDC-Notation | 621.3815284 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 620 Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau |
| Frankfurt |
Signatur: 2006 A 32849 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2006 A 36682 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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