Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Gallium nitride high electron mobility transistors on native substrates for power switching applications : fabrication, characterization and modelling / Muhammad Alshahed
Person(en) Alshahed, Muhammad (Verfasser)
Organisation(en) Shaker Verlag (Verlag)
Ausgabe [1. Auflage]
Verlag Düren : Shaker Verlag
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2019
Umfang/Format xxxi, 212 Seiten : Illustrationen ; 21 cm, 321 g
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Online-Ausgabe: Alshahed, Muhammad: Gallium Nitride High Electron Mobility Transistors on Native Substrates for Power Switching Applications
Hochschulschrift Dissertation, Universität Stuttgart, 2019
ISBN/Einband/Preis 978-3-8440-6885-6 Broschur : EUR 49.80 (DE), EUR 49.80 (AT), CHF 62.30 (freier Preis)
3-8440-6885-6
EAN 9783844068856
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagwörter HEMT ; Galliumnitrid ; Hochspannungsschalter ; Leckstrom ; Verlustwärme ; Thermodynamische Eigenschaft ; Wärmeleitfähigkeit
DDC-Notation 621.3815284 [DDC23ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik
Weiterführende Informationen Inhaltsverzeichnis

Frankfurt Signatur: 2019 A 55583
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: 2020 A 10067
Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.]
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