Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

Neuigkeiten Donnerstag, 11. September 2025: Die Deutsche Nationalbibliothek öffnet wegen eines Beschäftigtentreffens an beiden Standorten erst um 15 Uhr. // Thursday, 11 September 2025: The German National Library will not open until 15:00 due to a staff meeting at both locations.
 
 

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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers / Nico Ketteniß
Person(en) Ketteniß, Nico (Verfasser)
Verlag Aachen : Hochschulbibliothek der Rheinisch-Westfälischen Technischen Hochschule Aachen
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2013
Umfang/Format Online-Ressource
Andere Ausgabe(n) Erscheint auch als Druck-Ausgabe: Ketteniß, Nico: GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers
Hochschulschrift Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2013
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:hbz:82-opus-46092
URL http://darwin.bth.rwth-aachen.de/opus3/volltexte/2013/4609 (Verlag) (kostenfrei zugänglich)
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter HEMT , Quaternäres System , Polarisation , Halbleiter , Galliumnitrid
DDC-Notation 621.3815284 [DDC22ger]
Sachgruppe(n) 621.3 Elektrotechnik, Elektronik

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