Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
Ergebnis der Suche nach: "Karl" and "Müller"
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1291679006 |
| Titel | Effect of GaN/AlGaN Buffer Thickness on the Electrothermal Performance of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Engineered Substrates |
| Person(en) |
Tadjer, Marko J. (Verfasser) Waltereit, Patrick (Verfasser) Kirste, Lutz (Verfasser) Müller, Stefan (Verfasser) Lundh, James Spencer (Verfasser) Jacobs, Alan G. (Verfasser) Koehler, Andrew D. (Verfasser) Komarov, Pavel (Verfasser) Raad, Peter (Verfasser) Gaskins, John (Verfasser) Hopkins, Patrick (Verfasser) Odnoblyudov, Vlad (Verfasser) Basceri, Cem (Verfasser) Anderson, Travis J. (Verfasser) Hobart, Karl D. (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023060215105098113787 DOI: 10.1002/pssa.202200828 |
| URL | https://doi.org/10.1002/pssa.202200828 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 01.06.2023 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Physica status solidi / A / Applications and materials science (01.06.2023. 7 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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