Katalog der Deutschen Nationalbibliothek

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Titel Selective Introduction of Pentagon Defects into Co‐N 4 Sites for Boosting Fenton‐Like Activity (Adv. Funct. Mater. 33/2025)
Person(en) Zhong, Huajie (Verfasser)
Wang, Junhui (Verfasser)
Zhang, Bin (Verfasser)
Liu, Yangyang (Verfasser)
Gong, Zeyu (Verfasser)
Xiao, Xinzhe (Verfasser)
Yu, Jiaxing (Verfasser)
Hou, Yu (Verfasser)
Tao, Yuan (Verfasser)
Yang, Huangsheng (Verfasser)
Fu, Qi (Verfasser)
Zheng, Jiating (Verfasser)
Wang, Pengfei (Verfasser)
Ouyang, Gangfeng (Verfasser)
Umfang/Format Online-Ressource (pdf)
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2508201416359.331463109366
DOI: 10.1002/adfm.70791
URL https://doi.org/10.1002/adfm.70791
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 20.08.2025
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Advanced functional materials (Bd. 35, 2025, Nr. 33. 1 S.)

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