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Ergebnis der Suche nach: "Jacobs" and "Karl"



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Link zu diesem Datensatz https://d-nb.info/1336388455
Titel Silicon Ion Implant Activation in β-(Al0.2Ga0.8)2O3 / by Alan G. Jacobs, Joseph A. Spencer, Marko J. Tadjer, Boris N. Feigelson, Abbey Lamb, Ming-Hsun Lee, Rebecca L. Peterson, Fikadu Alema, Andrei Osinsky, Yuhao Zhang, Karl D. Hobart, Travis J. Anderson
Person(en) Jacobs, Alan G. (Verfasser)
Spencer, Joseph A. (Verfasser)
Tadjer, Marko J. (Verfasser)
Feigelson, Boris N. (Verfasser)
Lamb, Abbey (Verfasser)
Lee, Ming-Hsun (Verfasser)
Peterson, Rebecca L. (Verfasser)
Alema, Fikadu (Verfasser)
Osinsky, Andrei (Verfasser)
Zhang, Yuhao (Verfasser)
Hobart, Karl D. (Verfasser)
Anderson, Travis J. (Verfasser)
Organisation(en) SpringerLink (Online service) (Sonstige)
Umfang/Format 1 Online-Ressource.
Persistent Identifier URN: urn:nbn:de:101:1-2407220953225.965630775103
DOI: 10.1007/s11664-024-11075-z
URL https://doi.org/10.1007/s11664-024-11075-z
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: 2024
DDC-Notation 615.19 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation)
Sprache(n) Englisch (eng)
Beziehungen Enthalten in: Journal of electronic materials (Bd. 53, 28.4.2024, Nr. 6, date:6.2024: 2811-2816)
Sachgruppe(n) 610 Medizin, Gesundheit

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