Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1364360942 |
| Titel | Investigations of free electrons in doped silicon crystals derived from Fourier transformed infrared measurements and ab initio calculations |
| Person(en) |
Andriyevsky, B. (Verfasser) Bychto, L. (Verfasser) Patryn, A. (Verfasser) Schade, U. (Verfasser) Puskar, L. (Verfasser) Veber, A. (Verfasser) Abrosimov, N. (Verfasser) Kashuba, A. (Verfasser) |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | Online-Ressource |
| URL | https://www.helmholtz-berlin.de/pubbin/oai_publication?VT=1&ID=112623 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Anmerkungen |
In: Opto Electronics Review 33 2025 , p. e153756 1 8 Datenlieferant: Helmholtz Zentrum Berlin (HZB): Publications |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
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