Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1021095427 |
| Art des Inhalts | Hochschulschrift |
| Titel | MOVPE growth and characterization of (In,Ga)N quantum structures for laser diodes emitting at 440 nm / Veit Hoffmann. [FBH Leibniz, Ferdinand-Braun-Institut] |
| Person(en) | Hoffmann, Veit (Verfasser) |
| Ausgabe | 1. Aufl. |
| Verlag | Göttingen : Cuvillier |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2012 |
| Umfang/Format | III, 103 S. : graph. Darst. ; 22 cm |
| Hochschulschrift | Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 2011 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-3-86955-989-6 kart. : EUR 18.00 (DE), EUR 18.50 (AT) |
| EAN | 9783869559896 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Innovationen mit Mikrowellen und Licht ; Bd. 19 |
| Schlagwörter | Indiumnitrid ; Galliumnitrid ; Quantenwell-Laser ; MOCVD-Verfahren |
| DDC-Notation | 535.2 [DDC22ger] |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Weiterführende Informationen |
Inhaltsverzeichnis Inhaltstext |
| Frankfurt |
Signatur: 2012 A 46014
Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 2012 A 53760
Bereitstellung in Leipzig |
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