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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/931170087 |
| Titel | Gas source molecular beam epitaxy : growth and properties of phosphorus containing III - V heterostructures / M. B. Panish ; H. Temkin |
| Person(en) |
Panish, Morton B. (Verfasser) Temkin, Henryk (Verfasser) |
| Verlag | Berlin ; Heidelberg ; New York ; London ; Paris ; Tokyo ; Hong Kong ; Barcelona ; Budapest : Springer |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 1993 |
| Umfang/Format | XIV, 428 S. : Ill., graph. Darst. ; 24 cm |
| Andere Ausgabe(n) | Erscheint auch als Online-Ausgabe: Gas Source Molecular Beam Epitaxy |
| ISBN/Einband/Preis |
978-3-540-56540-6 (Berlin ...) Pp. : DM 98.00 3-540-56540-X (Berlin ...) Pp. : DM 98.00 978-0-387-56540-8 (New York ...) Pp. 0-387-56540-X (New York ...) Pp. |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Springer series in materials science ; 26 |
| Anmerkungen |
Literaturverz. S. 399 - 421 Status nach VGG: lieferbar |
| Schlagwörter | Drei-Fünf-Halbleiter ; Heterostruktur ; Molekularstrahlepitaxie |
| Sachgruppe(n) | 29 Physik, Astronomie ; 37 Elektrotechnik |
| Weiterführende Informationen | Inhaltsverzeichnis |
| Frankfurt |
Signatur: 1993 A 48898 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Frankfurt |
| Leipzig |
Signatur: 1993 A 48898 Bestand: [Dieses Werk gibt es inhaltsgleich auch in digitaler Form.] Bereitstellung in Leipzig |
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