Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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Treffer 99640 von 1102031
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1279549521 |
| Titel | Outstanding High Field‐Effect Mobility of 299 cm 2 V −1 s −1 by Nitrogen‐Doped SnO 2 Nanosheet Thin‐Film Transistor |
| Person(en) |
Pooja, Pheiroijam (Verfasser) Che, Chien Chun (Verfasser) Zeng, Shi‐Hao (Verfasser) Lee, Yu Chieh (Verfasser) Yen, Te‐Jui (Verfasser) Chin, Albert (Verfasser) |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2023013014010608813012 DOI: 10.1002/admt.202201521 |
| URL | https://doi.org/10.1002/admt.202201521 |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 29.01.2023 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Enthalten in: Advanced Materials Technologies (29.01.2023. 10 S.) |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
Treffer 99640 von 1102031
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