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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1370106750 |
| Titel | Growth and Application of AlN Single Crystal / by Ke Xu, Jun Huang |
| Person(en) |
Xu, Ke (Verfasser) Huang, Jun (Verfasser) |
| Organisation(en) | SpringerLink (Online service) (Sonstige) |
| Ausgabe | 1st ed. 2025 |
| Verlag | Singapore : Springer Nature Singapore, Imprint: Springer |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2025 |
| Umfang/Format | Online-Ressource, X, 177 p. 168 illus., 123 illus. in color. : online resource. |
| Andere Ausgabe(n) |
Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-64-2 Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-66-6 Printed edition:: ISBN: 978-981-9782-67-3 |
| Inhalt | Basic Properties of Ain Single Crystal -- Physical Basis for the Growth of Ain Single Crystal -- Defects in Ain Single Crystal -- Growth of Ain Bulk Crystal by Physical Vapor Transport -- Growth of Thick Ain Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy -- Growth of Thin Ain Layers by Metal Organic Chemical Vapor Deposition -- Aluminium Nitride based Semiconductor Devices |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:101:1-2506290406385.299207323064 DOI: 10.1007/978-981-97-8265-9 |
| URL | https://doi.org/10.1007/978-981-97-8265-9 |
| ISBN/Einband/Preis | 978-981-97-8265-9 |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Beziehungen | Wide Bandgap Semiconductors |
| DDC-Notation | 537.6223 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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