Katalog der Deutschen Nationalbibliothek
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| Link zu diesem Datensatz | https://d-nb.info/1327915111 |
| Titel | Interferometric in-situ III/V semiconductor dry-etch depth-control with ±0.8 nm best accuracy using a quadruple-Vernier-scale measurement / Guilherme Sombrio, Emerson Oliveira, Johannes Strassner, Christoph Doering, Henning Fouckhardt |
| Person(en) |
Sombrio, Guilherme (Verfasser) Oliveira, Emerson (Verfasser) Strassner, Johannes (Verfasser) Doering, Christoph (Verfasser) Fouckhardt, Henning (Verfasser) |
| Verlag | Kaiserslautern-Landau : Rheinland-Pfälzische Technische Universität Kaiserslautern-Landau, Kaiserslautern - Fachbereich Physik |
| Zeitliche Einordnung | Erscheinungsdatum: 2021 |
| Umfang/Format | Online-Ressource (pdf) |
| Persistent Identifier |
URN: urn:nbn:de:hbz:386-kluedo-81261 DOI: 10.1116/6.0001209 |
| URL | https://kluedo.ub.rptu.de/frontdoor/index/index/docId/8126 (Verlag) (kostenfrei zugänglich) |
| Sprache(n) | Englisch (eng) |
| Anmerkungen |
In: Journal of Vacuum Science & Technology B, 39/5, 8 S. In: https://pubs.aip.org/avs/jvb/article/39/5/052204/591316/Interferometric-in-situ-III-V-semiconductor-dry |
| DDC-Notation | 537.622 (maschinell ermittelte DDC-Kurznotation) |
| Sachgruppe(n) | 530 Physik |
| Online-Zugriff | Archivobjekt öffnen |
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