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	1	AlzGa1-x-zInxAsySb1-y a promising pentanary material system for optoelectronic devices Hillmer, Hartmut. - [Darmstadt] : Dt. Bundespost Telekom, Forschungs- und Technologiezentrum, 1993
	2	Exciton dissociation controlled diffusivities in thin GaAs/AlGaAs quantum wells Hillmer, Hartmut. - [Darmstadt] : Dt. Bundespost Telekom, Forschungs- und Technologiezentrum, 1993
	3	Vertical and parallel valence band masses in two-dimensional AlzGa1-zAs. InxAl1-xAs, InxGa1-xAs. InxGa1-x-zAlzAs and InxGa1-xAsyP1-y grown on [100] and [111] oriented substrates Hillmer, Hartmut. - Darmstadt : Forschungsinst. beim FTZ, 1991

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