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tit all "SiGe Heterojunction Bipolar Transistors"
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1
Device simulation of high-performance SiGe heterojunction bipolar transistors
Korn, Julian. - Berlin : Technische Universität Berlin, 2018
2
Physics based analytical modeling of SiGe heterojunction bipolar transistors for high speed integrated circuits
Tran-Hoang-Hung. - Dresden : TUDpress, 2007
3
SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
Ashburn, Peter. - New York, NY : John Wiley & Sons, 2003
4
Self-aligned Ti germanosilicide formation on a polycrystalline Si/SiGe/Si extrinsic base for SiGe heterojunction bipolar transistors
Enthalten in Journal of electronic materials Bd. 32, Nr. 11, date:11.2003: 1349-1356
5
The behavior of Ti silicidation on Si/SiGe/Si base and its effect on base resistance and fmax in SiGe hetero-junction bipolar transistors
Enthalten in Journal of materials science / Materials in electronics Bd. 12, Nr. 8, date:8.2001: 467-472
6
Influence of the oxygen content in SiGe on the parameters of Si/SiGe heterojunction bipolar transistors
Enthalten in Journal of electronic materials Bd. 27, Nr. 9, date:9.1998: 1022-1026
7
Development of integrated circuits for the reception path based on the SiGe-heterojunction bipolar transistors for the frequency range of 57–64 GHz
Enthalten in Russian microelectronics Bd. 44, 14.11.2015, Nr. 7, date:12.2015: 478-481
8
Highly biomimetic spiking neuron using SiGe heterojunction bipolar transistors for energy-efficient neuromorphic systems
Enthalten in Scientific reports Bd. 14, 10.4.2024, Nr. 1, date:12.2024: 1-8
9
SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
Enthalten in Materials Research Society: MRS online proceedings library Bd. 220, 24.10.1991, Nr. 1, date:12.1991: 421-431
10
Simulation of effects of emitter and collector widths on performance of silicon–germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs)
Enthalten in Journal of computational electronics Bd. 17, 26.3.2018, Nr. 2, date:6.2018: 682-688
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