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1
Herstellung und Charakterisierung von schnellen pseudomorphen InP-In x Ga 1-x As-InP-p-und-n-Kanal-Heterostruktur-Feldeffekttransistoren
Mesquida Küsters, Antonio. - Aachen : Universitätsbibliothek der RWTH Aachen, 2021
2
Physik der Halbleiterbauelemente
Sze, S. M.. - Weinheim : Wiley-VCH GmbH, 2021, 1. Auflage
3
Highly Integrated Millimeter-Wave CMOS Transceiver Frontend-Circuits for Radar and Communication Systems
Ciocoveanu, Radu. - München : Verlag Dr. Hut, 2020
4
Untersuchungen zu Vanadium-basierten ohmschen Kontakten in AlGaN/GaN-MISHFETs
Schmid, Alexander. - Freiberg : Technische Universität Bergakademie Freiberg, 2020
5
Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Germanium-p-Kanal-Tunneltransistoren
Hähnel, Daniel. - Stuttgart : Universitätsbibliothek der Universität Stuttgart, 2019
6
Autosynchrongleichrichter mittels MOS-Transistor und Operationsverstaerker
Berlin : Prior Art Publishing GmbH, 2018, Bestandsaufnahme: 12.06.2018
7
Charakterisierung dynamischer Eigenschaften und Modellbildung neuartiger Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von SiC und GaN
Heckel, Thomas Michael. - Erlangen : Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), 2018
8
Entwicklung eines Back-End-Prozesses für eine vollständig CMOS-kompatible Integration nanoskaliger Drucksensoren
Kontis, Christopher. - Dortmund : Universitätsbibliothek Dortmund, 2018
9
Implementierung des Drift-Diffusions-Modells zur Berechnung des elektronischen Transportes durch Kohlenstoffnanoröhrchen
Lorkowski, Florian. - Chemnitz : Fraunhofer-Institut für elektronische Nanosysteme, 2018
10
PFC-Steuerung in Schwachlast- und Standby-Betrieb
Berlin : Prior Art Publishing GmbH, 2018, Bestandsaufnahme: 19.07.2018
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