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Halbleiterlaser auf GaP Substraten für die monolithische Integration auf Si
Heidemann, Matthias. - Aachen : Shaker Verlag, 2017, [1. Auflage]
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Metallorganische-Gasphasenepitaxie von III/V-Mehrfachsolarzellen für die Konzentratoranwendung
Kellenbenz, René. - Stuttgart : Fraunhofer Verlag, [2016]
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InP/AlGaInP Quantenpunktlaser
Wagner, Jan. - München : AVM, 2011
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4 |
Verlustarme Faser-Kopplung auf der Basis faseroptischer Modenfeld-Transformatoren und InP-Gruben-Technologie
Alder, Thomas. - Duisburg : Universität Duisburg-Essen, 2006
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Epitaxie von vertikal emittierenden (Ga,In)P-Lasern
Butendeich, Rainer. - Aachen : Shaker, 2004
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Epitaxie von vertikal emittierenden (Ga,In)P-Lasern
Butendeich, Rainer. - Aachen : Shaker, 2004, 1. Auflage
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Gas phase growth of compounds semiconductors
Bakin, Andrey, 2004
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Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaser mit externem Resonator für 650 nm auf der Basis von InGaAlP
Müller, Moritz I.. - Erlangen : Lehrstuhl für Mikrocharakterisierung, Friedrich-Alexander-Univ., 2004
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Atomic structure of the (001) surfaces of InP, GaP and InGaP
Vogt, Patrick. - Berlin : Wiss.-und-Technik-Verl., 2003, 1. Aufl.
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Optische Wellenleiter mit periodischen diagonalen Gitterlinien zur Anwendung in optischen Filtern und Schaltern
Boo, Seongjae. - Aachen : Shaker, 2003, 1. Auflage
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Administration
